SI1414DH-T1-GE3
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
SI1414DH-T1-GE3 datasheet
-
МаркировкаSI1414DH-T1-GE3
-
ПроизводительSiliconix
-
ОписаниеSiliconix SI1414DH-T1-GE3 Continuous Drain Current: 4 A Drain-source Breakdown Voltage: 30 V Gate-source Breakdown Voltage: 8 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SC-70-6 Part # Aliases: SI1414DH-GE3 Power Dissipation: 2.8 W Product Category: MOSFET Resistance Drain-source Rds (on): 0.037 Ohms at 4.5 V Rohs: yes Transistor Polarity: N-Channel RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Gate-Source Breakdown Voltage: 8 V Resistance Drain-Source RDS (on): 0.037 Ohms at 4.5 V
-
Количество страниц12 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
04.06.2024
03.06.2024
03.06.2024